ZnO晶体基片公司 品质保证「多图」
发布:2020-07-13 06:15,更新:2010-01-01 00:00
氧化锌(ZnO)晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌(ZnO)晶体主要性能参数:晶体结构:六方;晶格常数:a=3.252A c=5.313 A;密度:5.7(g/cm3);硬度:4(mohs);熔点:1975℃;热膨胀系数:6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c;热 容:0.125 cal /g.m;热电常数:1200 mv/k @ 300 ℃;热 导:0.006 cal/cm/k。
目前,生长氧化锌(ZnO)单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。基于氧化锌(ZnO)的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌(ZnO)材料的新的研究热潮.氧化锌(ZnO)以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌(ZnO)单晶的研究有重要的理论和实践意义。
氧化锌(ZnO)的带边发射在紫外区,非常适宜作为白光LED的激发光源材料,凸显了氧化锌(ZnO)在半导体照明工程中的重要地位,并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比,氧化锌(ZnO)晶体主要性能参数:晶体结构:六方;晶格常数:a=3.252A c=5.313 A;密度:5.7(g/cm3);硬度:4(mohs);熔点:1975℃;热膨胀系数:6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。
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