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由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时,需使用高浓度的碱溶液作矿化剂,因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁,以免遭受碱液的腐蚀。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm，P6mc,ZnO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。

氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。

氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。作为氧化锌单晶的培养方法，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。

目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。